곽노정 SK하이닉스 CEO가 27일(현지시간) 미국 인디애나주 웨스트라피엣 퍼듀대학교에서 열린 AI 메모리 생산 기지 기공식에서 사업 전략과 비전을 발표하고 있다. SK하이닉스 제공 SK하이닉스가 미국 최초의 고대역폭메모리(HBM) 생산거。 건설에 들어갔다. 2029년 3분기부터 7세대 HBM인 HBM4E를 연간 웨이퍼 수십만장 규모로 생산한다. 다만 핵심 전공정은 한국이 맡는다. 한국에서 만든 D램 웨이퍼를 미국에서 패키징하고 검사해 현지 고객사에 공급하는 구조다. SK하이닉스는 27일(현지시간) 미국 인디애나주 웨스트라피엣 퍼듀대학교 할로웨이체육관에서 인공지능(AI) 메모리용 어드밴스드 패키징 생산기지인 ‘인디애나 팹’ 기공식을 열었다고 28일 밝혔다. 인디애나 팹은 SK하이닉스가 미국에 짓는 첫 반도체 생산시설이다. 투자 규모는 40억달러 이상이다. 2024년 4월 투자계획을 발표한 지 2년4개월 만에 기공식을 열었다. 현재 기초 골조 공사가 진행 중이다. SK하이닉스는 10월부터 주요 시설 공사에 착수해 2028년 10월 클린룸을 완공할 계획이다. 2029년 3분기부터 HBM4E 양산을 시작한다. 양산 시。은 당초 계획보다 약 1년 늦어졌다. SK하이닉스는 2024년 투자계획을 발표할 당시 2028년 하반기 차세대 HBM 양산을 목표로 제시했다. 모바일 바다이야기 고래 이번 기공식에서 양산 제품을 HBM4E로 확정하고 생산 시。을 2029년 3분기로 구체화했다. HBM은 여러 장의 D램을 수직으로 쌓아 데이터 처리 속도를 높인 메모리다. AI 가속기가 대량의 데이터를 빠르게 처리하도록 돕는 핵심 부품이다. HBM4E는 현재 양산 중인 6세대 HBM4의 뒤를 잇는 7세대 제품이다. 인디애나 팹은 D램 웨이퍼를 직접 만드는 전공정 공장이 아니다. 한국에서 생산한 첨단 D램 웨이퍼를 가져와 여러 개의 칩을 쌓고 연결하는 패키징과 성능 검사를 담당한다. 후공정을 미국에서 마친 완제품은 ‘메이드 인 USA’ HBM으로 엔비디아 등 현지 고객사에 공급된다. SK하이닉스가 밝힌 연간 수십만장은 완제품 개수가 아니라 인디애나 팹에서 처리하는 웨이퍼 기준 생산능력이다. 한국 생산기지와 인디애나 후공정 시설을 잇는 한미 통합 HBM 생산체계를 구축한다는 의미다. HBM은 D램을 얇게 만든 뒤 여러 층으로 쌓고 정밀하게 연결해야 한다. 칩을 쌓는 높이가 늘고 데이터 처리 속도가 빨라질수록 패키징 기술의 중요성도 커진다. SK하이닉스가 미국에 일반 D램 공장이 아닌 첨단 패키징 생산기지를 먼저 구축하는 이유다. 생산라인 옆에는 어드밴스드 패키징 연구개발(R&D) 테스트베드도 들어선다 모바일 야마토추천 . 고객사와 대학, 협력사가 차세대 패키징 기술을 개발하고 시제품 제작과 성능 검증을 함께 진행하는 공간이다. SK하이닉스는 차세대 HBM 개발과 테스트 역량을 강화하기 위해 퍼듀대학교와 연구개발 협력 양해각서(MOU)도 맺었다. 공장은 퍼듀대가 있는 웨스트라피엣에 들어선다. 반도체와 엔지니어링 인재를 확보하고 산학협력을 확대하기 위한 선택이다. 미국 정부도 반도체지원법(CHIPS Act·칩스법)을 통해 인디애나 팹 건설을 지원한다. 지원 규모는 최대 4억5000만달러의 직접 보조금과 5억달러의 대출이다. 미국이 자국 내 AI 반도체 공급망 구축에 속도를 내는 가운데 핵심 메모리의 후공정 생산 기반을 확보한다는 의미가 있다. 공장이 본격 가동되면 제조와 엔지니어링, 연구개발 분야에서 약 1000명이 근무한다. SK하이닉스는 건설·운영 인력과 100여개 소재·부품·장비 협력사 공급망을 포함해 약 7000명의 직·간접 고용 효과가 발생할 것으로 기대했다. 곽노정 SK하이닉스 대표이사 사장은 “지난달 나스닥 주식예탁증서(ADR) 상장으로 미국 내 혁신 생태계와 연결된데 이어 실질적인 현지 투자를 본격화했다”며 “단순 공정 팹이 아닌 미국 최초의 HBM 생산 거。을 구축하는 것”이라고 말했다. 이어 인디애나 팹이 “메이드 인 USA HBM을 처음 공급하는 핵심 거。이자, 미 반도체 공급망을 강화하고 경제·안보에 기여하는 주요 기반이 될 것”이라고 강조했다. 0">